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STD13N60M2
ST(意法半导体)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STD13N60M2
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ST(意法半导体)
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DPAK
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2500+:￥1.85 1+:￥1.94 |
4085 |
22+
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圣禾堂
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STD13N60M2
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ST(意法半导体)
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TO-252-3
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2500+:￥1.924 1+:￥2.0176 |
4080 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STD13N60M2
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ST(意法半导体)
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TO-252-3
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2500+:￥2.035 1250+:￥2.134 100+:￥2.453 20+:￥3.19 |
4085 |
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3天-15天
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唯样商城
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STD13N60M2
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ST(意法半导体)
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DPAK
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1000+:￥2.156 500+:￥2.288 100+:￥2.5344 30+:￥3.35 10+:￥3.83 1+:￥4.78 |
3106 |
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立即发货
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立创商城
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STD13N60M2
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ST(意法半导体)
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DPAK
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30+:￥3.03 10+:￥3.24 1+:￥3.66 |
1178 |
20+/21+
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在芯间
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STD13N60M2
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意法半导体(ST)
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TO-252
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25000+:￥3.1397 5000+:￥3.3894 2500+:￥3.5678 800+:￥4.9949 200+:￥7.1356 10+:￥11.6132 |
25718 |
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油柑网
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STD13N60M2
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STMICROELECTRONICS
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DPAK
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1+:￥4.0376 |
100 |
2204
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 580 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |