咨询/建议
STD10P6F6
ST(意法半导体)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STD10P6F6
|
ST(意法半导体)
|
DPAK
|
1000+:￥2.1 500+:￥2.23 100+:￥2.48 30+:￥2.9 10+:￥3.33 1+:￥4.18 |
2369 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
STD10P6F6
|
ST(意法半导体)
|
DPAK
|
2500+:￥2.49 1+:￥2.6 |
5675 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
STD10P6F6
|
ST(意法半导体)
|
TO-252-3
|
2500+:￥2.5896 1+:￥2.704 |
5667 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
STD10P6F6
|
ST(意法半导体)
|
TO-252-3
|
2500+:￥2.739 1250+:￥2.86 100+:￥3.146 20+:￥3.762 |
5675 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
STD10P6F6
|
意法半导体(ST)
|
TO-252
|
25000+:￥3.9777 5000+:￥4.2941 2500+:￥4.5201 800+:￥6.3281 200+:￥9.0402 10+:￥14.7129 |
7500 |
-
|
油柑网
|
|
|
STD10P6F6
|
ST(意法半导体)
|
DPAK
|
100+:￥2.632 30+:￥2.632 10+:￥2.632 1+:￥2.632 |
0 |
20+/21+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 48 V |
| 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |