STB15810
ST(意法半导体)
D2PAK
¥2.25
51,802
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):110A,导通电阻(RDS(on)):3.9mΩ@10V,55A
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STB15810
ST(意法半导体)
TO-263(D²Pak)

100+:¥2.25

30+:¥2.5

10+:¥2.9

1+:¥3.4

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STB15810
ST(意法半导体)
D2PAK

1000+:¥3.0

500+:¥3.08

100+:¥3.22

30+:¥3.63

10+:¥4.14

1+:¥4.86

1632

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STB15810
意法半导体(ST)
D2PAK

10000+:¥3.2967

2000+:¥3.559

1000+:¥3.7463

500+:¥5.2448

100+:¥7.4926

10+:¥11.6135

50000

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ST(意法半导体)
D2PAK

1000+:¥2.2

1+:¥2.31

5

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STB15810
ST(意法半导体)
TO-263

1000+:¥2.288

1+:¥2.4024

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STB15810
ST(意法半导体)
TO-263

1000+:¥2.288

100+:¥2.4024

1+:¥2.9952

5

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1-3工作日
STB15810
ST(意法半导体)
D2PAK

100+:¥2.486

30+:¥2.531

10+:¥2.712

1+:¥2.938

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20+/21+
STB15810
STMICROELECTRONICS

1+:¥4.3512

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 110A
导通电阻(RDS(on)) 3.9mΩ@10V,55A