SSM3K37FS,LF
TOSHIBA(东芝)
SC-75(SOT-416)
¥0.155232
12,585
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SSM3K37FS,LF(B
TOSHIBA

100+:¥0.1552

1+:¥0.1669

2990

2118
现货最快4H发
SSM3K37FS,LF(T
Toshiba(东芝)
SSM

3000+:¥0.16328

1+:¥0.18616

2678

24+
1-2工作日发货
SSM3K37FS,LF
TOSHIBA(东芝)
SC-75(SOT-416)

3000+:¥0.1856

300+:¥0.2207

100+:¥0.2543

10+:¥0.3215

4490

-
立即发货
SSM3K37FS,LF(B
Toshiba(东芝)

1000+:¥0.4701

500+:¥0.5406

300+:¥0.6464

190+:¥0.8055

2427

-
3周-4周
SSM3K37FS,LF(B
Toshiba(东芝)

100+:¥0.2171

2840

-
6-8工作日
SSM3K37FS,LF(T
Toshiba Semiconductor

375+:¥0.69

225+:¥0.767

75+:¥0.84

7530

-
14-18工作日
SSM3K37FS,LF(B
东芝(TOSHIBA)
SC-75

30000+:¥0.2618

6000+:¥0.2826

3000+:¥0.2975

800+:¥0.4165

100+:¥0.595

20+:¥0.9684

0

-
SSM3K37FS,LF
东芝(TOSHIBA)
SC-75(SOT-416)

150+:¥0.5046

50+:¥0.6055

5+:¥0.9083

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 12 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 100mW(Ta)
工作温度 150°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-75,SOT-416