SSM3K341R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
¥0.5591
50,123
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
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SSM3K341R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

3000+:¥0.5724

500+:¥0.6325

150+:¥0.7674

50+:¥0.8755

5+:¥1.1278

3610

-
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SSM3K341R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

1000+:¥0.628

100+:¥0.761

20+:¥0.869

1+:¥1.119

3175

20+/21+
SSM3K341R,LF(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

3000+:¥0.69

1+:¥0.744

1383

24+
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SSM3K341R,LF(T
东芝(TOSHIBA)
SOT-23

30000+:¥0.693

6000+:¥0.7481

3000+:¥0.7875

800+:¥1.1025

200+:¥1.575

10+:¥2.5634

39000

-
SSM3K341R,LF(T
Toshiba(东芝)
--

3000+:¥0.7176

1+:¥0.77376

1376

24+
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 36 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 9.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 550 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线