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SSM3J356R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SSM3J356R,LF
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23F
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500+:￥0.73 150+:￥0.7428 50+:￥0.7555 5+:￥0.7746 |
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立创商城
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SSM3J356R,LF
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23F
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100+:￥0.763 30+:￥0.776 10+:￥0.788 1+:￥0.807 |
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20+/21+
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在芯间
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SSM3J356R,LF
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23F
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3000+:￥0.791 1+:￥0.853 |
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圣禾堂
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SSM3J356R,LF
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东芝(TOSHIBA)
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SOT-23F
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500+:￥1.0173 150+:￥1.2208 50+:￥1.526 5+:￥1.8311 |
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油柑网
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SSM3J356R,LF
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Toshiba(东芝)
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SOT23F
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1000+:￥2.0376 500+:￥2.1262 100+:￥2.3034 30+:￥2.4806 1+:￥2.5692 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +10V，-20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |