SSM3J328R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
¥0.188
122,164
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
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价格(含税)
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渠道
SSM3J328R,LF(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F-3

3000+:¥0.19

1+:¥0.215

18847

25+
立即发货
SSM3J328R,LF(T
Toshiba(东芝)
--

3000+:¥0.1976

1+:¥0.2236

14328

25+
1-2工作日发货
SSM3J328R,LF(T
东芝(TOSHIBA)
SOT-23

30000+:¥0.2365

6000+:¥0.2554

3000+:¥0.2688

800+:¥0.3763

100+:¥0.5376

20+:¥0.8333

39000

-
SSM3J328R,LF
Toshiba(东芝)
SOT23F

3000+:¥0.2521

1200+:¥0.2547

600+:¥0.2573

100+:¥0.2857

10+:¥0.3632

1940

-
立即发货
SSM3J328R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

300+:¥0.2599

100+:¥0.3007

10+:¥0.3823

1930

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 840 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线