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SQJ459EP-T1_GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8L
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SQJ459EP-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAKSO-8L
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1000+:￥2.93 500+:￥3.11 100+:￥3.46 30+:￥4.05 10+:￥4.63 1+:￥5.81 |
3516 |
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立创商城
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SQJ459EP-T1_GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥3.0472 1+:￥3.172 |
9290 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SQJ459EP-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥3.12 1+:￥3.24 |
9298 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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SQJ459EP-T1_GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK®SO-8
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3000+:￥3.223 1500+:￥3.355 750+:￥3.531 100+:￥3.817 20+:￥4.576 |
9298 |
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3天-15天
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唯样商城
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SQJ459EP-T1_GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥3.2945 6000+:￥3.5566 3000+:￥3.7438 800+:￥5.2413 200+:￥7.4876 10+:￥12.1861 |
12000 |
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油柑网
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SQJ459EP-T1_GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK®SO-8
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3000+:￥4.7956 |
15159 |
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3天-5天
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唯样商城
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SQJ459EP-T1_GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥3.276 1500+:￥3.4112 750+:￥3.588 100+:￥3.8688 1+:￥4.6384 |
9365 |
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1-3工作日
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硬之城
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SQJ459EP-T1_GE3
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Vishay(威世)
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PPAK8_4.9X4.37MM
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1000+:￥5.9623 500+:￥6.2262 100+:￥6.5955 30+:￥7.387 10+:￥7.9146 1+:￥8.7061 |
0 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 52A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 108 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4586 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |