SQJ457EP-T1_GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8L
¥2.24
22,544
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SQJ457EP-T1_GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK® SO-8

3000+:¥2.24

1+:¥2.33

2847

2年内
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SQJ457EP-T1_GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8L-4

3000+:¥2.3296

1+:¥2.4232

2846

2年内
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SQJ457EP-T1_GE3
威世(VISHAY)
PowerPAK-SO-8L

30000+:¥2.464

6000+:¥2.66

3000+:¥2.8

800+:¥3.92

200+:¥5.6

10+:¥9.114

2847

-
SQJ457EP-T1_GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8L

1000+:¥2.5

500+:¥2.65

100+:¥2.96

30+:¥3.46

10+:¥3.97

1+:¥4.99

2157

-
立即发货
SQJ457EP-T1_GE3
Vishay(威世)
PowerPAK® SO-8

1500+:¥2.563

750+:¥2.695

100+:¥2.904

20+:¥3.498

2847

-
3天-15天
SQJ457EP-T1_GE3
Vishay(威世)
PowerPAK® SO-8

3000+:¥3.9839

9000

-
3天-5天
SQJ457EP-T1_GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8L-4

3000+:¥2.3504

1500+:¥2.4544

750+:¥2.5688

100+:¥2.7872

1+:¥3.3384

3497

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 100 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8