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SQD19P06-60L_GE3
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SQD19P06-60L_GE3
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VISHAY(威世)
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DPAK(TO-252)
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1000+:￥2.945 500+:￥3.116 100+:￥3.458 30+:￥4.23 10+:￥4.82 1+:￥6.01 |
1928 |
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立创商城
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SQD19P06-60L_GE3
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Vishay(威世)
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TO-252
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2000+:￥3.0171 |
200000 |
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3天-5天
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唯样商城
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SQD19P06-60L_GE3
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VISHAY
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500+:￥3.1948 1+:￥4.214 |
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2309
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现货最快4H发
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京北通宇
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SQD19P06-60L_GE3
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威世(VISHAY)
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TO-252-2(DPAK)
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20000+:￥3.366 4000+:￥3.6338 2000+:￥3.825 500+:￥5.355 200+:￥7.65 10+:￥12.4504 |
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油柑网
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SQD19P06-60L_GE3
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Vishay(威世)
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TO-252-3
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2000+:￥2.912 1+:￥3.0472 |
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23+
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硬之城
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Vishay(威世)
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TO-252
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20+:￥4.246 |
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3天-15天
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唯样商城
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Vishay(威世)
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TO-252-3
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2000+:￥2.912 1000+:￥3.0472 100+:￥3.3488 1+:￥4.0144 |
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1-3工作日
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硬之城
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VISHAY(威世)
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2000+:￥3.5 1+:￥3.65 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1490 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 46W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |