SQ2389ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.859
45,938
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SQ2389ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.859

1+:¥0.906

9468

23+
立即发货
SQ2389ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

1200+:¥0.8729

600+:¥0.9319

100+:¥1.0304

30+:¥1.2515

10+:¥1.4287

1+:¥1.8422

9428

-
立即发货
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

3000+:¥0.89336

1+:¥0.94224

9465

23+
1-2工作日发货
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

3000+:¥0.90948

3000

22+
1-3工作日发货
SQ2389ES-T1_GE3
VISHAY

1000+:¥0.9408

1+:¥0.9604

2703

2427
现货最快4H发
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

3000+:¥0.9449

1500+:¥0.9966

750+:¥1.0571

100+:¥1.188

40+:¥1.474

9468

-
3天-15天
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

1000+:¥0.9476

500+:¥0.9918

100+:¥1.0536

30+:¥1.1861

10+:¥1.2744

1+:¥1.4069

2406

-
立即发货
SQ2389ES-T1_GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.8913

300+:¥0.9715

100+:¥1.0607

30+:¥1.1676

10+:¥1.4172

1+:¥1.7113

5058

22+
1-3工作日
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.9048

1500+:¥0.95472

750+:¥1.01192

100+:¥1.1336

1+:¥1.4248

9497

--
1-3工作日
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

10+:¥0.957

24050

批次:22+
3-5工作日
SQ2389ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.9657

1500+:¥1.019

750+:¥1.08

100+:¥1.2099

1+:¥1.5207

9497

24+
2-4工作日
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

10000+:¥1.0045

3000+:¥1.0322

200+:¥1.0598

10+:¥1.1336

8792

-
5-7工作日
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥1.0125

1000+:¥1.0215

500+:¥1.1228

200+:¥1.2371

50+:¥1.356

15000

23+
4-7工作日
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

100+:¥3.1855

60+:¥3.3394

20+:¥3.684

93242

-
14-18工作日
SQ2389ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.918

30+:¥0.918

10+:¥0.918

1+:¥0.943

0

20+/21+
SQ2389ES-T1_GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.9517

6000+:¥1.0274

3000+:¥1.0815

800+:¥1.5141

200+:¥2.163

10+:¥3.5203

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 94 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 420 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3