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SQ2337ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SQ2337ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.42 1+:￥1.5 |
6347 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SQ2337ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.4768 1+:￥1.56 |
6328 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SQ2337ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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1000+:￥1.55 500+:￥1.65 100+:￥1.82 30+:￥2.2 10+:￥2.5 1+:￥3.2 |
1812 |
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立即发货
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立创商城
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SQ2337ES-T1_GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3
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30000+:￥1.562 6000+:￥1.6863 3000+:￥1.775 800+:￥2.485 100+:￥3.55 20+:￥5.7776 |
6336 |
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油柑网
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SQ2337ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.562 1500+:￥1.65 750+:￥1.749 100+:￥1.969 30+:￥2.453 |
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3天-15天
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唯样商城
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SQ2337ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.5288 1500+:￥1.612 750+:￥1.7056 100+:￥1.9032 1+:￥2.3816 |
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1-3工作日
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硬之城
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SQ2337ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.9303 |
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 290 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 18 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |