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SQ2315ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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SQ2315ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.2 1+:￥1.27 |
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25+
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圣禾堂
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SQ2315ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.2272 1+:￥1.2896 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SQ2315ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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3000+:￥1.298 1500+:￥1.364 750+:￥1.452 100+:￥1.628 30+:￥2.035 |
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3天-15天
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唯样商城
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SQ2315ES-T1_GE3
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VISHAY
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1+:￥1.5308 |
4623 |
22/02/11
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现货最快4H发
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京北通宇
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SQ2315ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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2000+:￥1.32 1000+:￥1.38 200+:￥1.44 100+:￥1.56 10+:￥1.62 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 870 pF @ 4 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |