30N06
UMW(友台半导体)
TO-252
¥0.373
82,337
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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30N06
UMW(友台半导体)
TO-252-2

2500+:¥0.373

1+:¥0.406

4652

2年内
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30N06
UMW(友台半导体)
TO-252

5000+:¥0.38

2500+:¥0.3971

500+:¥0.4385

150+:¥0.5109

50+:¥0.5988

5+:¥0.7698

57920

-
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30N06
UMW(广东友台半导体)
TO-252

2500+:¥0.38792

1+:¥0.42224

4637

2年内
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30N06
UMW(友台半导体)
TO-252-2

500+:¥0.42

150+:¥0.54

50+:¥0.63

5+:¥0.82

9682

22+/23+
30N06
UMW(友台)
TO-252(DPAK)

500+:¥0.421

50+:¥0.5748

5+:¥0.739

397

-
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30N06
友台半导体(UMW)
TO-252(DPAK)

1285+:¥0.4582

150+:¥0.6415

50+:¥0.6872

5+:¥0.7939

397

-
30N06
UMW(友台)
TO-252

2500+:¥0.4849

1250+:¥0.5278

100+:¥0.5798

70+:¥0.737

4652

-
3天-15天
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UMW(广东友台半导体)
TO-252

2500+:¥0.38792

1250+:¥0.42224

100+:¥0.46384

1+:¥0.6968

6122

--
1-3工作日
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UMW(友台)
TO-252

2500+:¥0.4185

0

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UMW 30N06
UMW(友台)
TO-252(DPAK)

2000+:¥0.6032

1000+:¥0.6322

500+:¥0.6728

100+:¥0.7598

20+:¥0.8468

5+:¥0.9338

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 25 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1562 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 55W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63