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SMMBT5551LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SMMBT5551LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.145 1+:￥0.164 |
37325 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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SMMBT5551LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1508 1+:￥0.17056 |
34302 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SMMBT5551LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.2175 1500+:￥0.246 200+:￥0.2835 140+:￥0.3809 |
34305 |
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3天-15天
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唯样商城
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SMMBT5551LT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:￥0.3703 |
161 |
2151
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现货最快4H发
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京北通宇
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SMMBT5551LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.48039 |
1257 |
22+
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1-3工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 225 mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |