SMMBT5551LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.145
112,424
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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SMMBT5551LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.145

1+:¥0.164

37325

25+
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SMMBT5551LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1508

1+:¥0.17056

34302

25+
1-2工作日发货
SMMBT5551LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.2175

1500+:¥0.246

200+:¥0.2835

140+:¥0.3809

34305

-
3天-15天
SMMBT5551LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.3703

161

2151
现货最快4H发
SMMBT5551LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.48039

1257

22+
1-3工作日发货
SMMBT5551LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.5076

6000+:¥0.548

3000+:¥0.5768

800+:¥0.8075

200+:¥1.1536

10+:¥1.7881

5072

-
SMMBT5551LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.15

3000+:¥0.16

500+:¥0.1732

150+:¥0.1952

50+:¥0.2363

5+:¥0.2923

22354

2505+
1工作日
SMMBT5551LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.15288

1500+:¥0.17264

200+:¥0.19864

1+:¥0.30784

37365

--
1-3工作日
SMMBT5551LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.1584

45000+:¥0.1606

3000+:¥0.1617

1500+:¥0.1826

200+:¥0.2101

1+:¥0.3256

37393

25+
2-4工作日
SMMBT5551LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1934

1000+:¥0.1984

500+:¥0.2035

100+:¥0.5

40800

-
3-6工作日
SMMBT5551LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2174

300+:¥0.237

100+:¥0.2587

30+:¥0.2848

10+:¥0.3457

1+:¥0.4174

26100

22+
1工作日
SMMBT5551LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.232

12000+:¥0.236

6000+:¥0.244

3000+:¥0.25

93000

22+
3-5工作日
SMMBT5551LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

10+:¥0.531

6669

18+
3-5工作日
SMMBT5551LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

11999+:¥0.55

11999

-
4-6工作日
SMMBT5551LT1G
ON(安森美)
SOT-23

2+:¥0.0687

2

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onsemi(安森美)
SOT-23

18000+:¥0.145

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 160 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3