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2SK2225-E
RENESAS(瑞萨)
TO-3PFM
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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2SK2225-E
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Renesas(瑞萨)
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TO-3PFM
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500+:￥14.345 100+:￥15.1905 30+:￥17.024 10+:￥18.829 1+:￥21.869 |
1760 |
2307029
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现货
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硬之城
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2SK2225-E
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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TO-3PFM
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500+:￥15.1 100+:￥15.99 30+:￥17.92 10+:￥19.82 1+:￥23.02 |
755 |
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立即发货
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立创商城
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2SK2225-E
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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TO-3P
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500+:￥34.7 100+:￥36.3 20+:￥38.1 1+:￥41.5 |
2751 |
23+/21+
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在芯间
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2SK2225-E
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Renesas(瑞萨)
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TO3PFM
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100+:￥15.5902 30+:￥17.472 1+:￥22.4445 |
28 |
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立即发货
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华秋商城
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2SK2225-E
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瑞萨(RENESAS)
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TO-3P-3
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300+:￥11.8581 60+:￥12.8013 30+:￥13.4751 15+:￥18.8651 5+:￥26.9502 1+:￥43.8615 |
0 |
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油柑网
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2SK2225-E
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Renesas(瑞萨)
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TO-3PFM
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1+:￥33.27173 |
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2222
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 欧姆 @ 1A，15V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 984.7 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3PFM，SC-93-3 |