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SIS412DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK® 1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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SIS412DN-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK1212-8
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5000+:￥0.5069 2500+:￥0.5364 1000+:￥0.5708 500+:￥0.6447 50+:￥0.7185 5+:￥0.7923 |
1557 |
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华秋商城
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PowerPAK1212-8
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3000+:￥0.7019 500+:￥0.7749 150+:￥0.939 50+:￥1.0704 5+:￥1.3772 |
5380 |
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3000+:￥0.702 1+:￥0.757 |
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圣禾堂
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3000+:￥0.73008 1+:￥0.78728 |
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硬之城
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1000+:￥0.735 100+:￥0.7644 1+:￥0.8174 |
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京北通宇
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3000+:￥0.7722 1500+:￥0.8327 750+:￥0.9163 100+:￥1.0989 40+:￥1.43 |
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威世(VISHAY)
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30000+:￥0.6688 6000+:￥0.722 3000+:￥0.76 800+:￥1.064 200+:￥1.52 10+:￥2.356 |
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油柑网
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100+:￥0.681 30+:￥0.681 10+:￥0.681 5+:￥0.699 |
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20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 435 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），15.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |