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SIRA20DP-T1-RE3
VISHAY(威世)
SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：81.7A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SIRA20DP-T1-RE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥3.85 6000+:￥4.1563 3000+:￥4.375 800+:￥6.125 200+:￥8.75 10+:￥14.2406 |
14999 |
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油柑网
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SIRA20DP-T1-RE3
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VISHAY(威世)
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SO-8
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1000+:￥3.8122 500+:￥4.05 100+:￥4.312 30+:￥5.2 10+:￥5.782 1+:￥7.19 |
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立即发货
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立创商城
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SIRA20DP-T1-RE3
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VISHAY INTERTECHNOLOGY
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QFN-8
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10+:￥2.8 1+:￥3.0 |
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2201+
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1工作日
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云汉芯城
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SIRA20DP-T1-RE3
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Vishay Semiconductors
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QFN-8
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10000+:￥3.955 5000+:￥4.025 1000+:￥4.13 10+:￥4.375 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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SIRA20DP-T1-RE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥4.52 1+:￥4.7 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 81.7A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.58 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 200 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +16V，-12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10850 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |