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SIRA00DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SIRA00DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥2.32 1+:￥2.42 |
2417 |
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圣禾堂
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SIRA00DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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1000+:￥2.4064 500+:￥2.5568 100+:￥3.1208 30+:￥3.82 10+:￥4.32 1+:￥5.32 |
4307 |
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立创商城
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SIRA00DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥2.4128 1+:￥2.5168 |
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22+
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硬之城
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SIRA00DP-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥2.552 6000+:￥2.755 3000+:￥2.9 800+:￥4.06 200+:￥5.8 10+:￥9.4395 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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1500+:￥2.662 750+:￥2.794 100+:￥3.003 20+:￥3.619 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 220 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11700 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |