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SIR426DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SIR426DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥2.4648 1+:￥2.5688 |
3705 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SIR426DP-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥2.486 6000+:￥2.6838 3000+:￥2.825 800+:￥3.955 200+:￥5.65 10+:￥9.1954 |
12000 |
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油柑网
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SIR426DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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1000+:￥2.51 500+:￥2.66 100+:￥2.96 30+:￥3.45 10+:￥3.95 1+:￥4.94 |
2804 |
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立创商城
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SIR426DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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3000+:￥2.607 1500+:￥2.717 750+:￥2.86 100+:￥3.08 20+:￥3.707 |
3833 |
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3天-15天
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唯样商城
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SIR426DP-T1-GE3
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VISHAY
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100+:￥2.8812 1+:￥3.087 |
1354 |
2248
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现货最快4H发
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京北通宇
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SIR426DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PPAK8_4.9X5.89MM
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500+:￥4.4 100+:￥4.5224 10+:￥5.1341 1+:￥5.338 |
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华秋商城
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SIR426DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥2.4648 1500+:￥2.5688 750+:￥2.704 100+:￥2.912 1+:￥3.5048 |
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1-3工作日
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硬之城
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SIR426DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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3000+:￥2.6307 1500+:￥2.7417 750+:￥2.886 100+:￥3.108 1+:￥3.7407 |
29611 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SIR426DP-T1-GE3
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VISHAY
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700+:￥3.8723 |
1384 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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SIR426DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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100+:￥3.979 1+:￥4.515 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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SIR426DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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500+:￥5.52 100+:￥5.9944 10+:￥6.6 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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SIR426DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥2.37 1+:￥2.47 |
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25+
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圣禾堂
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SIR426DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK SO-8
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100+:￥3.14 30+:￥3.63 10+:￥4.12 1+:￥5.09 |
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20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 4.8W（Ta），41.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |