SIA906EDJ-T1-GE3
VISHAY(威世)
WSON-6-EP(2x2)
¥1.1814
14,664
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 N-通道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):46 毫欧 @ 3.9A,4.5V
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SiA906EDJ-T1-GE3
威世(VISHAY)
QFN

30000+:¥1.1814

6000+:¥1.2754

3000+:¥1.3425

800+:¥1.8795

200+:¥2.685

10+:¥4.3698

3000

-
SIA906EDJ-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK® SC-70-6 双

3000+:¥1.25

1+:¥1.31

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SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay(威世)
SC-70-6

3000+:¥1.3

1+:¥1.3624

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SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK® SC-70-6 双

3000+:¥1.375

1500+:¥1.441

750+:¥1.529

100+:¥1.716

30+:¥2.145

5755

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SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK®SC70-6L

100+:¥1.6016

30+:¥1.6874

10+:¥1.716

1+:¥1.859

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 46 毫欧 @ 3.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 350pF @ 10V
功率 - 最大值 7.8W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 双