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SI7997DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8 双
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3000+:￥6.22 1+:￥6.43 |
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圣禾堂
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3000+:￥6.4688 1+:￥6.6872 |
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硬之城
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1000+:￥6.74 500+:￥7.04 100+:￥7.73 30+:￥9.26 10+:￥10.75 1+:￥13.14 |
2724 |
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立创商城
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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500+:￥6.88 100+:￥7.54 20+:￥8.96 1+:￥12.5 |
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在芯间
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Vishay(威世)
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1500+:￥7.073 750+:￥7.359 100+:￥8.096 6+:￥9.306 |
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威世(VISHAY)
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30000+:￥7.458 6000+:￥8.0513 3000+:￥8.475 800+:￥11.865 200+:￥16.95 10+:￥27.5861 |
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油柑网
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3000+:￥6.4688 1500+:￥6.6872 750+:￥6.9576 100+:￥7.6544 1+:￥8.7984 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 160nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6200pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 46W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |