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SI7617DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥1.6 1+:￥1.79 |
12327 |
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圣禾堂
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PPAK8_3.05X3.05MM
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1000+:￥1.6044 500+:￥1.6775 100+:￥1.7798 30+:￥1.9991 10+:￥2.1453 1+:￥2.3645 |
2721 |
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华秋商城
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VISHAY(威世)
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PowerPAK1212-8
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1000+:￥1.62 500+:￥1.72 100+:￥2.2 30+:￥2.53 10+:￥2.86 1+:￥3.52 |
3402 |
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立创商城
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Vishay(威世)
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PowerPAK-1212-8
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3000+:￥1.664 1+:￥1.8616 |
409 |
2年内
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Vishay(威世)
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PowerPAK-1212-8
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3000+:￥1.664 1+:￥1.8616 |
5798 |
25+
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硬之城
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威世(VISHAY)
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PowerPAK1212-8
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30000+:￥2.057 6000+:￥2.2206 3000+:￥2.3375 800+:￥3.2725 200+:￥4.675 10+:￥7.2463 |
30000 |
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油柑网
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100+:￥2.321 20+:￥2.904 |
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唯样商城
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京北通宇
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3000+:￥1.664 1500+:￥1.8616 750+:￥1.9656 100+:￥2.1944 1+:￥2.7456 |
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VISHAY(威世)
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100+:￥1.659 30+:￥1.659 10+:￥1.659 1+:￥1.659 |
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.3 毫欧 @ 13.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 59 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |