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SI7415DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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SI7415DN-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK1212-8
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1000+:￥2.6558 500+:￥2.8322 100+:￥3.1752 30+:￥3.82 10+:￥4.4 1+:￥5.57 |
3305 |
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立创商城
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥2.77 1+:￥2.89 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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PowerPAK-1212-8
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3000+:￥2.8808 1+:￥3.0056 |
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24+
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硬之城
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威世(VISHAY)
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30000+:￥3.047 6000+:￥3.2894 3000+:￥3.4625 800+:￥4.8475 200+:￥6.925 10+:￥11.2704 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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PowerPak1212-8
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1500+:￥3.179 750+:￥3.333 100+:￥3.608 20+:￥4.323 |
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PowerPAK 1212-8
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1+:￥4.6085 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |