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SI7309DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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SI7309DN-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK1212-8
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1000+:￥2.11 500+:￥2.24 100+:￥3.18 30+:￥3.61 10+:￥4.03 1+:￥4.89 |
2270 |
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立创商城
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SI7309DN-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥2.15 1+:￥2.24 |
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2年内
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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PowerPAK1212-8
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3000+:￥2.236 1+:￥2.3296 |
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2年内
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硬之城
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威世(VISHAY)
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PowerPAK1212-8
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30000+:￥2.365 6000+:￥2.5531 3000+:￥2.6875 800+:￥3.7625 200+:￥5.375 10+:￥8.7478 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥2.365 1500+:￥2.464 750+:￥2.585 100+:￥2.794 20+:￥3.355 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 115 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），19.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |