SI7149DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
¥2.15
16,828
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI7149DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK® SO-8

3000+:¥2.15

1+:¥2.24

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Vishay(威世)
PowerPAK®SO-8

3000+:¥2.236

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1000+:¥2.375

500+:¥2.508

100+:¥2.774

30+:¥3.38

10+:¥3.84

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威世(VISHAY)
PowerPAK-SO-8

30000+:¥2.486

6000+:¥2.6838

3000+:¥2.825

800+:¥3.955

200+:¥5.65

10+:¥9.1954

12000

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PowerPAK® SO-8

100+:¥2.794

20+:¥3.355

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VISHAY

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Vishay(威世)
PPAK8_4.9X5.89MM

100+:¥4.7745

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10+:¥5.1453

1+:¥5.6088

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VISHAY SEMICONDUCTORS
PPAKSO-8

3000+:¥2.1739

300+:¥2.3478

100+:¥2.3913

30+:¥2.8913

10+:¥3.1739

1+:¥3.6957

2031

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PPAKSO-8

1000+:¥2.2064

200+:¥2.2655

10+:¥2.3246

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3000+:¥2.236

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1+:¥3.172

226

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1-3工作日
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Vishay Semiconductors
PPAKSO-8

150000+:¥2.2781

30000+:¥2.2984

6000+:¥2.3391

3000+:¥2.4205

32000

21+
3-4工作日
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Vishay Semiconductors
PPAKSO-8

3000+:¥2.352

1000+:¥2.373

500+:¥2.6082

200+:¥2.8739

50+:¥3.15

25625

21+
4-7工作日
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VISHAY(威世)
PPAKSO-8

3000+:¥2.3865

1500+:¥2.4864

750+:¥2.6085

100+:¥2.8194

1+:¥3.3855

228

22+
2-4工作日
SI7149DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
PPAKSO-8

10000+:¥2.5114

3000+:¥2.5805

200+:¥2.6496

10+:¥2.8339

53990

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5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 147 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4590 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 69W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8