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SI7149ADP-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SI7149ADP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SO-8
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1000+:￥1.8914 500+:￥1.9992 100+:￥2.2246 30+:￥2.64 10+:￥3.02 1+:￥3.78 |
839 |
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立创商城
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SI7149ADP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PPAK8_4.9X5.89MM
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600+:￥1.9875 10+:￥2.6506 1+:￥2.9398 |
500 |
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华秋商城
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SI7149ADP-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SO-8
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30000+:￥1.9888 6000+:￥2.147 3000+:￥2.26 800+:￥3.164 200+:￥4.52 10+:￥7.3563 |
24000 |
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油柑网
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SI7149ADP-T1-GE3
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VISHAY
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500+:￥2.303 1+:￥2.45 |
667 |
2022.08.13
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI7149ADP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SO-8
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500+:￥2.36 100+:￥2.63 20+:￥3.09 1+:￥4.45 |
3200 |
24+/23+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 135 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5125 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |