咨询/建议
SI7137DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK® SO-8
|
3000+:￥1.8 1+:￥1.9 |
6782 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAKSO-8
|
1000+:￥1.8424 500+:￥1.9502 100+:￥2.1658 30+:￥2.58 10+:￥2.95 1+:￥3.7 |
13615 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOP-8
|
3000+:￥1.872 1+:￥1.976 |
6776 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PowerPAK-SO-8
|
3000+:￥1.872 1+:￥1.976 |
779 |
22+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOIC-8
|
3000+:￥1.98 1500+:￥2.09 750+:￥2.211 100+:￥2.475 20+:￥3.091 |
6782 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
威世(VISHAY)
|
SOP-8
|
30000+:￥2.057 6000+:￥2.2206 3000+:￥2.3375 800+:￥3.2725 200+:￥4.675 10+:￥7.6086 |
39000 |
-
|
油柑网
|
|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOP-8
|
3000+:￥2.13237 1000+:￥2.16246 500+:￥2.19255 100+:￥2.21863 10+:￥2.24672 |
8975 |
22+
|
现货
|
硬之城
|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
VISHAY
|
100+:￥2.8861 1+:￥3.0488 |
288 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
|
SI7137DP-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PowerPAK-SO-8
|
3000+:￥1.9136 1500+:￥2.028 750+:￥2.1528 100+:￥2.4128 1+:￥3.0056 |
782 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.95 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 585 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20000 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |