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SI7116DN-T1-E3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI7116DN-T1-E3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK1212-8
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1000+:￥4.31 500+:￥4.48 100+:￥4.84 30+:￥5.66 10+:￥6.38 1+:￥7.7 |
2985 |
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立即发货
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立创商城
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SI7116DN-T1-E3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK1212-8
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1000+:￥6.1333 500+:￥7.0533 100+:￥7.6666 30+:￥8.5866 10+:￥10.4266 1+:￥12.2666 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.8 毫欧 @ 16.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 23 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |