SI4435DYTRPBF
Infineon(英飞凌)
SO-8
¥1.6
6,668
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI4435DYTRPBF
Infineon(英飞凌)
SO-8

1000+:¥1.66

500+:¥1.76

100+:¥2.05

30+:¥2.39

10+:¥2.73

1+:¥3.41

6448

-
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SI4435DYTRPBF
Infineon(英飞凌)
SOP8

500+:¥1.79

100+:¥2.08

20+:¥2.43

1+:¥3.46

200

21+/22+
SI4435DYTRPBF
Infineon(英飞凌)
SO-8

4000+:¥1.6

1+:¥1.68

11

25+
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SI4435DYTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
SOIC-8

4000+:¥1.7289

300+:¥1.8672

100+:¥1.9018

30+:¥2.2994

10+:¥2.5242

1+:¥2.9391

3980

22+
1工作日
SI4435DYTRPBF
Infineon(英飞凌)
SOIC-8

52000+:¥1.7584

24000+:¥1.7808

4000+:¥1.792

2000+:¥1.8816

1000+:¥2.0048

100+:¥2.24

1+:¥2.8

373

25+
2-4工作日

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