SI4435DDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
¥0.655
691,216
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.4A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI4435DDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
8-SO

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VISHAY(威世)
SO-8

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Vishay(威世)
SOIC-8

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SI4435DDY-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOIC-8

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Vishay(威世)
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Vishay(威世)
SOIC-8

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VISHAY(威世)
SOP8

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Vishay(威世)
SOIC8_150MIL

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VISHAY
8-SOIC

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VISHAY
SOIC-8

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Vishay Intertechnology
SOIC-8

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SI4435DDY-T1-GE3
Vishay
SOIC-8

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SI4435DDY-T1-GE3
Vishay(威世)
SO-8

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VISHAY SEMICONDUCTORS
SOIC-8

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Vishay Semiconductors
SOIC-8

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SI4435DDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOIC-8

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Vishay Semiconductors
SOIC-8

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Vishay Semiconductors
SOIC-8

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SOIC-8

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