SI2343CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.44051
23,989
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.9A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SI2343CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

6000+:¥0.4405

3000+:¥0.4685

500+:¥0.5247

150+:¥0.6764

50+:¥0.7718

5+:¥0.9627

6025

-
立即发货
SI2343CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.469

1+:¥0.502

2549

23+
立即发货
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.48249

1000+:¥0.49145

500+:¥0.50041

100+:¥0.50892

10+:¥0.5152

7743

23+
现货
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.48776

1+:¥0.52208

2544

23+
1-2工作日发货
SI2343CDS-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.5159

6000+:¥0.557

3000+:¥0.5863

800+:¥0.8208

200+:¥1.1726

10+:¥1.9084

2549

-
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

1500+:¥0.5522

200+:¥0.6061

60+:¥0.88

2579

-
3天-15天
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.443

3000+:¥0.4469

1000+:¥0.4912

500+:¥0.5412

100+:¥0.5933

30000

21+
4-7工作日
SI2343CDS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.451

500+:¥0.5027

150+:¥0.5662

50+:¥0.6443

5+:¥0.7614

2890

23+
1工作日
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.451

500+:¥0.5027

150+:¥0.5662

50+:¥0.6443

5+:¥0.7614

447

2330+
1工作日
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.473

3000

24+
5-7工作日
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.48776

1500+:¥0.52208

200+:¥0.57304

1+:¥0.832

2741

--
1-3工作日
Si2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

50000+:¥0.5023

10000+:¥0.5161

1000+:¥0.5299

10+:¥0.5668

49230

-
5-7工作日
Si2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

10000+:¥0.5162

3000+:¥0.5304

200+:¥0.5446

10+:¥0.5825

37360

-
5-7工作日
SI2343CDS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

150+:¥0.6451

50+:¥0.7372

5+:¥0.9342

446

22+
1工作日
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

1500+:¥3.0262

760+:¥3.1192

43260

-
10-15工作日
SI2343CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.482

30+:¥0.482

10+:¥0.482

1+:¥0.494

0

20+/21+
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

1000+:¥5.65

500+:¥5.9

100+:¥6.25

30+:¥7.0

10+:¥7.5

1+:¥8.25

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 590 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3