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SI2342DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2342DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.196 1+:￥1.2688 |
26998 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2342DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.265 1500+:￥1.342 750+:￥1.419 100+:￥1.595 30+:￥1.991 |
27000 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI2342DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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1000+:￥1.42 500+:￥1.51 100+:￥1.65 30+:￥1.98 10+:￥2.23 1+:￥2.84 |
2946 |
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立创商城
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VISHAY(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥1.68 30+:￥2.01 10+:￥2.27 1+:￥2.89 |
673 |
20+/21+
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在芯间
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥2.4607 6000+:￥2.6565 3000+:￥2.7963 800+:￥3.9148 100+:￥5.5926 20+:￥9.102 |
3000 |
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油柑网
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3000+:￥1.15 1+:￥1.22 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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SOT-23
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1000+:￥1.2119 500+:￥1.2656 100+:￥1.3406 30+:￥1.5015 10+:￥1.6088 1+:￥1.7696 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 8 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 7.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1070 pF @ 4 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |