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SI2333DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2333DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.25 1+:￥1.31 |
20250 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SI2333DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.2792 1+:￥1.352 |
20247 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2333DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.353 1500+:￥1.43 750+:￥1.507 100+:￥1.694 30+:￥2.112 |
20250 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI2333DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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1000+:￥1.372 500+:￥1.47 100+:￥1.617 30+:￥2.0 10+:￥2.28 1+:￥2.94 |
4606 |
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立即发货
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立创商城
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SI2333DS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3
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30000+:￥1.43 6000+:￥1.5438 3000+:￥1.625 800+:￥2.275 100+:￥3.25 20+:￥5.2894 |
30000 |
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油柑网
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SI2333DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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24000+:￥1.368 12000+:￥1.368 6000+:￥1.392 3000+:￥1.416 |
33000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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SI2333DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥1.375 |
60000 |
25+
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1-3工作日
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云汉芯城
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SI2333DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3，TO-236
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39000+:￥1.3875 18000+:￥1.4097 3000+:￥1.4208 1500+:￥1.4874 750+:￥1.5762 100+:￥1.7649 1+:￥2.2089 |
20704 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SI2333DS-T1-GE3
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Vishay Intertechnology
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SOT-23-3，TO-236
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500+:￥1.45 100+:￥1.6 30+:￥1.8733 10+:￥1.9831 1+:￥2.2 |
2499 |
2444+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2333DS-T1-GE3
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VISHAY SEMICONDUCTORS
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥1.45 300+:￥1.566 100+:￥1.595 30+:￥1.9285 10+:￥2.117 1+:￥2.465 |
3197 |
24+
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1-3工作日
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云汉芯城
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SI2333DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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150000+:￥1.886 75000+:￥1.9024 15000+:￥1.9352 3000+:￥2.0008 |
48000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 18 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |