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SI2333DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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SI2333DDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.56 1+:￥0.602 |
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圣禾堂
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.581 3000+:￥0.6204 500+:￥0.686 150+:￥0.8333 50+:￥0.9513 5+:￥1.2268 |
8920 |
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立创商城
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.5824 1+:￥0.62608 |
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硬之城
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.6061 6000+:￥0.6544 3000+:￥0.6888 800+:￥0.9643 200+:￥1.3776 10+:￥2.2421 |
12000 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.616 1500+:￥0.6622 200+:￥0.7623 60+:￥0.9911 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 35 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1275 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |