SI2333CDS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.961
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):12 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.1A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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SI2333CDS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

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30000+:¥1.0571

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20+:¥3.9102

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3000+:¥1.0571

1500+:¥1.111

750+:¥1.177

100+:¥1.32

40+:¥1.65

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500+:¥1.26

150+:¥1.53

50+:¥1.74

5+:¥2.25

1310

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30+:¥2.72

10+:¥3.264

1+:¥4.896

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 25 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1225 pF @ 6 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3