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SI2333
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@1.8V
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厂家型号
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价格(含税)
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BORN(伯恩半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.172 1+:￥0.194 |
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9000+:￥0.1758 6000+:￥0.1845 3000+:￥0.2018 300+:￥0.2829 100+:￥0.3117 10+:￥0.3693 |
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3000+:￥0.17888 1+:￥0.20176 |
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3000+:￥0.1917 1200+:￥0.2661 600+:￥0.2687 100+:￥0.2961 10+:￥0.3508 |
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伯恩半导体(BORN)
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30000+:￥0.2108 6000+:￥0.2276 3000+:￥0.2396 800+:￥0.2956 100+:￥0.3257 20+:￥0.3859 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@1.8V |