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SI2325DS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：530mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2325DS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.56 1+:￥1.64 |
5717 |
25+
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圣禾堂
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SI2325DS-T1-E3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.6224 1+:￥1.7056 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2325DS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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1000+:￥1.71 500+:￥1.81 100+:￥2.01 30+:￥2.35 10+:￥2.69 1+:￥3.36 |
3177 |
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立创商城
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SI2325DS-T1-E3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥1.716 6000+:￥1.8525 3000+:￥1.95 800+:￥2.73 200+:￥3.9 10+:￥6.3473 |
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油柑网
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SI2325DS-T1-E3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.716 1500+:￥1.804 750+:￥1.903 100+:￥2.134 20+:￥2.673 |
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3天-15天
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SI2325DS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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500+:￥2.09 100+:￥2.28 20+:￥2.73 1+:￥3.15 |
3000 |
20+/23+
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在芯间
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SI2325DS-T1-E3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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2000+:￥2.388 1000+:￥2.4519 500+:￥2.5585 100+:￥2.7717 30+:￥2.8783 1+:￥2.9849 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 530mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |