SI2324A-TP
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.107
32,005
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Tj),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SI2324A-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.107

1+:¥0.121

6479

25+
立即发货
SI2324A-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.11128

1+:¥0.12584

6478

25+
1-2工作日发货
SI2324A-TP
美微科(MCC)
SOT-23

30000+:¥0.1177

6000+:¥0.1272

3000+:¥0.1338

800+:¥0.1873

100+:¥0.2676

20+:¥0.4355

6479

-
SI2324A-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.1605

1500+:¥0.1815

240+:¥0.2085

6479

-
3天-15天
SI2324A-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.2131

300+:¥0.2457

100+:¥0.2798

10+:¥0.348

5180

-
立即发货
SI2324A-TP
MCC(美微科)
SOT-23

1200+:¥0.2311

600+:¥0.2334

100+:¥0.2658

10+:¥0.3306

910

-
立即发货
SI2324A-TP
MCC(美微科)
SOT-23-3

3000+:¥0.11128

1500+:¥0.12584

200+:¥0.14456

1+:¥0.22464

15510

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 4.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 520 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3