SI2319CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥1.01
173,301
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI2319CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

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Vishay Intertechnology
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Vishay(威世)
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24000+:¥1.0693

12000+:¥1.0881

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6000+:¥1.0763

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3000

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1000+:¥1.2656

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120000

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SI2319CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
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224+:¥1.5698

222+:¥1.5834

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220+:¥1.7063

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6-8工作日
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Vishay Semiconductors
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12000+:¥2.3348

6000+:¥2.3817

3000+:¥2.4315

27250

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10-15工作日
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500+:¥2.4265

100+:¥2.6668

21+:¥2.928

388875

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14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 77 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 595 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3