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SI2315BDS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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SI2315BDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.545 1+:￥0.585 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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3000+:￥0.5668 1+:￥0.6084 |
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硬之城
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威世(VISHAY)
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30000+:￥0.5995 6000+:￥0.6472 3000+:￥0.6813 800+:￥0.9538 200+:￥1.3626 10+:￥2.2177 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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3000+:￥0.5995 1500+:￥0.6435 200+:￥0.7403 60+:￥0.9636 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.85A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 715 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |