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SI2312CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2312CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.5458 3000+:￥0.5816 500+:￥0.7336 150+:￥0.868 50+:￥0.9756 5+:￥1.2269 |
9970 |
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立即发货
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立创商城
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SI2312CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.546 1+:￥0.586 |
1955 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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SI2312CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.56784 1+:￥0.60944 |
1953 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2312CDS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.6006 6000+:￥0.6484 3000+:￥0.6825 800+:￥0.9555 200+:￥1.365 10+:￥2.2216 |
1955 |
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油柑网
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SI2312CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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1500+:￥0.6446 200+:￥0.7425 60+:￥0.9647 |
1955 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI2312CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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600+:￥0.6969 50+:￥0.9268 5+:￥1.1656 |
248 |
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立即发货
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华秋商城
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SI2312CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.56784 1500+:￥0.60944 200+:￥0.702 1+:￥0.91208 |
2015 |
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1-3工作日
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硬之城
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SI2312CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥0.6061 1500+:￥0.6505 200+:￥0.7493 1+:￥0.9735 |
2015 |
24+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SI2312CDS-T1-GE3
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Vishay Intertechnology
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SOT-23-3，TO-236
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1000+:￥0.6389 500+:￥0.6685 150+:￥0.7141 50+:￥0.7568 5+:￥0.8755 |
2507 |
2445+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2312CDS-T1-GE3
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VISHAY SEMICONDUCTORS
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SOT-23-3，TO-236
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500+:￥0.6975 150+:￥0.8254 50+:￥0.9288 5+:￥1.1732 |
646 |
23+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2312CDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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10+:￥0.715 |
3015 |
批次:24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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SI2312CDS-T1-GE3
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VISHAY SEMICONDUCTORS
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SOT-23-3，TO-236
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11250+:￥1.221 7500+:￥1.221 3750+:￥1.221 |
3750 |
21+
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3-5工作日
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云汉芯城
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SI2312CDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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150+:￥2.0125 90+:￥2.0768 30+:￥2.292 |
132611 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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SI2312CDS-T1-GE3
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VISHAY
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1000+:￥0.735 100+:￥0.7742 1+:￥0.8232 |
0 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2312CDS-T1-GE3
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VISHAY INTERTECHNOLOGY
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SOT-23-3，TO-236
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6+:￥0.7458 |
6 |
2106+
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1工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31.8 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 18 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 865 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），2.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |