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SI2309CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SI2309CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.38 1+:￥0.411 |
439072 |
2年内
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圣禾堂
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SI2309CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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6000+:￥0.3841 3000+:￥0.4102 500+:￥0.4624 150+:￥0.5276 50+:￥0.6146 5+:￥0.7885 |
43805 |
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立创商城
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SI2309CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3952 1+:￥0.42744 |
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2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2309CDS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3(TO-236-3)
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30000+:￥0.418 6000+:￥0.4512 3000+:￥0.475 800+:￥0.665 200+:￥0.95 10+:￥1.4725 |
433945 |
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油柑网
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SI2309CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT23
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3000+:￥0.426 500+:￥0.449 50+:￥0.572 5+:￥0.705 |
3144 |
23+/22+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 345 毫欧 @ 1.25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 210 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |