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SI2308CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2308CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.692 1+:￥0.745 |
37763 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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SI2308CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.71968 1+:￥0.7748 |
37755 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2308CDS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3
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30000+:￥0.7611 6000+:￥0.8218 3000+:￥0.865 800+:￥1.211 100+:￥1.73 20+:￥2.8156 |
37763 |
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油柑网
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SI2308CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.7612 1500+:￥0.8195 750+:￥0.9009 100+:￥1.0813 40+:￥1.408 |
37763 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI2308CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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500+:￥0.8339 150+:￥1.0134 50+:￥1.1573 5+:￥1.4929 |
1520 |
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立即发货
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立创商城
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SI2308CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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100+:￥0.905 30+:￥1.084 10+:￥1.228 1+:￥1.564 |
1800 |
20+/21+
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在芯间
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SI2308CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.75 |
12 |
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3天-5天
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唯样商城
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SI2308CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.72904 1500+:￥0.7852 750+:￥0.86424 100+:￥1.03688 1+:￥1.352 |
37822 |
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1-3工作日
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硬之城
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SI2308CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥0.7781 1500+:￥0.8381 750+:￥0.9224 100+:￥1.1067 1+:￥1.443 |
37822 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SI2308CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥0.9357 1+:￥1.0675 |
41635 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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SI2308CDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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175+:￥1.0695 105+:￥1.6284 35+:￥1.8 |
30780 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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SI2308CDS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.3301 500+:￥1.5296 150+:￥1.8621 50+:￥2.2612 5+:￥2.6602 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 144 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 105 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |