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SI2305A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SI2305A
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.1 1+:￥0.127 |
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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21000+:￥0.1031 9000+:￥0.1121 3000+:￥0.1289 600+:￥0.1482 200+:￥0.1804 20+:￥0.2385 |
5880 |
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UMW(广东友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.104 1+:￥0.13208 |
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25+
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SI2305A
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UMW(友台)
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SOT-23
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2000+:￥0.1346 1000+:￥0.141 500+:￥0.1499 100+:￥0.1689 20+:￥0.188 5+:￥0.207 |
2738 |
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SI2305A
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友台半导体(UMW)
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SOT-23
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2000+:￥0.1496 1000+:￥0.2094 500+:￥0.2394 100+:￥0.2543 20+:￥0.2842 5+:￥0.3291 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 740 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.38W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |