SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.21632
620,216
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A(Ta),3.6A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.21

1+:¥0.237

268482

2年内
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SI2304DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.21632

1+:¥0.2444

268472

2年内
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SI2304DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.22338

15200

24+25+
1-3工作日发货
SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

6000+:¥0.2319

3000+:¥0.2479

500+:¥0.3122

150+:¥0.3522

50+:¥0.4056

5+:¥0.5122

37190

-
立即发货
SI2304DDS-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.2406

6000+:¥0.2597

3000+:¥0.2734

800+:¥0.3828

200+:¥0.5468

10+:¥0.8475

1000

-
SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT23

3000+:¥0.245

150+:¥0.312

50+:¥0.395

5+:¥0.485

15565

24+/25+
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.2462

5600

25+24+
1-3工作日发货
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.273

1500+:¥0.3081

200+:¥0.3549

100+:¥0.5499

268477

-
3天-15天
SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23

10+:¥0.4312

1+:¥0.441

5687

2235
现货最快4H发
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

1000+:¥1.4662

500+:¥1.5332

300+:¥1.6195

100+:¥2.0507

60+:¥2.6927

2948

-
3周-4周
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

4000+:¥0.6016

2000+:¥0.6177

1000+:¥0.6714

500+:¥0.7519

100+:¥0.8325

10+:¥0.9131

77

-
立即发货
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.2184

1500+:¥0.24648

200+:¥0.28392

1+:¥0.43992

268661

--
1-3工作日
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.2394

12000+:¥0.2436

6000+:¥0.2478

3000+:¥0.2625

120000

25+
3-6工作日
SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.2431

45000+:¥0.2453

3000+:¥0.2486

1500+:¥0.2808

200+:¥0.3241

1+:¥0.5017

269576

25+
2-4工作日
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

1000+:¥0.2781

500+:¥0.3036

150+:¥0.3352

50+:¥0.3565

5+:¥0.3815

15253

2424+
1工作日
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

150000+:¥0.2911

30000+:¥0.2937

6000+:¥0.2989

3000+:¥0.3093

51000

21+
3-4工作日
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.2968

3000+:¥0.2995

2000+:¥0.3291

1000+:¥0.3627

300+:¥0.3975

24000

22+
4-7工作日
SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.3043

1500+:¥0.3317

500+:¥0.3622

150+:¥0.3987

50+:¥0.4839

5+:¥0.5843

5224

23+
1-3工作日
Si2304DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.4238

194000

21+
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.3A(Ta),3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 235 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3