SI2303CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(TO-236)
¥0.20691
397,450
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI2303CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(TO-236)

9000+:¥0.2069

6000+:¥0.2201

3000+:¥0.2464

300+:¥0.3069

100+:¥0.3531

10+:¥0.4456

30570

-
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SI2303CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.208

1+:¥0.235

83707

2年内
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SI2303CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.21632

1+:¥0.2444

83704

2年内
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SI2303CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.22649

75000

25+
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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.23261

23100

25+24+
1-3工作日发货
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.2704

1500+:¥0.3055

200+:¥0.351

100+:¥0.5434

89707

-
3天-15天
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

4000+:¥0.281

2000+:¥0.2885

1000+:¥0.3136

500+:¥0.3512

100+:¥0.3888

10+:¥0.4265

4480

-
立即发货
SI2303CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT23

3000+:¥0.32

500+:¥0.37

50+:¥0.41

5+:¥0.55

5230

21+/22+
SI2303CDS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23

100+:¥0.4998

1+:¥0.5096

1952

2015
现货最快4H发
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.2184

1500+:¥0.24648

200+:¥0.28392

1+:¥0.43992

36133

--
1-3工作日
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.24

3000+:¥0.26

500+:¥0.283

150+:¥0.3125

50+:¥0.3524

5+:¥0.3876

22

2244+
1工作日
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.2404

12000+:¥0.2445

6000+:¥0.2486

3000+:¥0.2528

19800

24+
3-5工作日
SI2303CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.2431

45000+:¥0.2453

3000+:¥0.2486

1500+:¥0.2797

200+:¥0.3219

1+:¥0.4995

90133

25+
2-4工作日
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2464

9000

23+
1-3工作日
SI2303CDS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2688

300+:¥0.2903

100+:¥0.3172

30+:¥0.3898

10+:¥0.4892

1+:¥0.4973

4386

23+
1-3工作日
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

150000+:¥0.2721

30000+:¥0.2745

6000+:¥0.2794

3000+:¥0.2891

90000

21+
3-4工作日
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.2912

3000+:¥0.2938

1000+:¥0.3229

600+:¥0.3558

300+:¥0.39

30000

22+
4-7工作日
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

1500+:¥2.9966

760+:¥3.0872

11160

-
10-15工作日
SI2303CDS-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.2434

6000+:¥0.2628

3000+:¥0.2766

800+:¥0.3872

200+:¥0.5532

10+:¥0.8575

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 155 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta),2.3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3