SI2302DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.33
547,505
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A(Tj),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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SI2302DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.33

1+:¥0.353

177726

25+
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SI2302DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.3432

1+:¥0.36712

177719

25+
1-2工作日发货
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.429

1500+:¥0.4589

200+:¥0.5057

90+:¥0.6193

177726

-
3天-15天
SI2302DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

6000+:¥0.5119

3000+:¥0.5455

500+:¥0.6829

150+:¥0.8089

50+:¥0.9099

5+:¥1.1455

12575

-
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SI2302DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.863

30+:¥1.027

10+:¥1.158

1+:¥1.465

1695

20+/21+
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

30+:¥0.8644

5+:¥1.0882

30

-
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SI2302DDS-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.9509

6000+:¥1.0265

3000+:¥1.0805

800+:¥1.0835

200+:¥1.0973

10+:¥1.106

30

-
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.4891

12000+:¥0.4976

6000+:¥0.5062

3000+:¥0.5363

90000

25+
3-6工作日
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.5304

1500+:¥0.61984

200+:¥0.7124

1+:¥0.92456

178403

--
1-3工作日
SI2302DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.5661

1500+:¥0.6616

200+:¥0.7604

1+:¥0.9868

184403

25+
2-4工作日
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

500+:¥0.68

150+:¥0.7267

50+:¥0.8157

5+:¥0.979

1992

2329+
1工作日
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

225+:¥1.219

135+:¥1.3452

45+:¥1.488

3724

-
14-18工作日
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

750+:¥2.5606

1625

-
10-15工作日
SI2302DDS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23

1+:¥0.639

4

2024/01/03
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
功率耗散(最大值) 710mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3