厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2302DDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3(TO-236)
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3000+:¥0.33 1+:¥0.353 |
177726 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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SI2302DDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.3432 1+:¥0.36712 |
177719 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2302DDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.429 1500+:¥0.4589 200+:¥0.5057 90+:¥0.6193 |
177726 |
-
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3天-15天
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唯样商城
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SI2302DDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:¥0.5119 3000+:¥0.5455 500+:¥0.6829 150+:¥0.8089 50+:¥0.9099 5+:¥1.1455 |
12575 |
-
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立即发货
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立创商城
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SI2302DDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:¥0.863 30+:¥1.027 10+:¥1.158 1+:¥1.465 |
1695 |
20+/21+
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在芯间
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SI2302DDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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30+:¥0.8644 5+:¥1.0882 |
30 |
-
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立即发货
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华秋商城
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SI2302DDS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:¥0.9509 6000+:¥1.0265 3000+:¥1.0805 800+:¥1.0835 200+:¥1.0973 10+:¥1.106 |
30 |
-
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油柑网
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SI2302DDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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24000+:¥0.4891 12000+:¥0.4976 6000+:¥0.5062 3000+:¥0.5363 |
90000 |
25+
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3-6工作日
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云汉芯城
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SI2302DDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.5304 1500+:¥0.61984 200+:¥0.7124 1+:¥0.92456 |
178403 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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SI2302DDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3,TO-236
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3000+:¥0.5661 1500+:¥0.6616 200+:¥0.7604 1+:¥0.9868 |
184403 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SI2302DDS-T1-GE3
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Vishay Intertechnology
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SOT-23-3,TO-236
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500+:¥0.68 150+:¥0.7267 50+:¥0.8157 5+:¥0.979 |
1992 |
2329+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2302DDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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225+:¥1.219 135+:¥1.3452 45+:¥1.488 |
3724 |
-
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14-18工作日
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云汉芯城
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SI2302DDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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750+:¥2.5606 |
1625 |
-
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10-15工作日
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云汉芯城
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SI2302DDS-T1-GE3
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VISHAY
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SOT-23
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1+:¥0.639 |
4 |
2024/01/03
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现货最快4H发
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京北通宇
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属性 | 属性值 |
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FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 850mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 5.5 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
功率耗散(最大值) | 710mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |