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SI2302CDS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SI2302CDS-T1-E3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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1200+:￥1.1521 600+:￥1.1638 50+:￥1.5175 5+:￥1.9212 |
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华秋商城
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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500+:￥1.1756 150+:￥1.4005 50+:￥1.5807 5+:￥2.0013 |
1190 |
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立创商城
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SI2302CDS-T1-E3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥1.2673 6000+:￥1.3684 3000+:￥1.4404 800+:￥1.5609 100+:￥1.568 20+:￥1.9523 |
1060 |
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油柑网
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SI2302CDS-T1-E3
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Vishay Intertechnology
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SOT-23-3，TO-236
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1000+:￥0.7451 500+:￥0.7937 100+:￥0.8504 30+:￥0.9314 10+:￥1.0286 1+:￥1.2149 |
2775 |
2436+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2302CDS-T1-E3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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200+:￥1.518 120+:￥1.6756 40+:￥1.716 |
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14-18工作日
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 710mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |